Samsung Galaxy S21 будет с самой быстрой памятью в индустрии

Ранее в этом году Samsung объявили о планах массового производства памяти LPDDR5 DRAM 16 Гб с использованием технологического процесса третьего поколения класса 10 нм.

Теперь компания сообщает, что открыла новую производственную линию на своем предприятии в Пхёнтхэке в Корее, чтобы начать массовое производство первой в отрасли мобильной оперативной памяти LPDDR5 объемом 16 ГБ. Память будет производиться серийно с использованием технологического узла третьего поколения 10-нанометрового (1z) класса с использованием технологии экстремального ультрафиолета (EUV).

По словам исполнительного вице-президента компании по продуктам и технологиям, эта память преодолеет серьезное препятствие на пути к масштабированию оперативной памяти и откроет новые двери для отрасли.
Но давайте поговорим о скорости. Новая память, по словам Samsung, будет предлагать самую высокую скорость и самый большой объём среди всех мобильных ОЗУ.
  

Samsung заявляет, что LPDDR5 может передавать со скоростью 6400 мегабит в секунду (Мбит / с), что на 16 процентов быстрее, чем 12 ГБ память LPDDR5, которую вы найдете на флагманах, таких как Galaxy Note 20.
В частности, новая память может передать 51,2 ГБ данных всего за одну секунду. То есть 10 фильмов по 5 Гб за одну секунду. Впечатляет. Коммерциализация 10 нм тех-процесса также означает, что корпус LPDDR5 на 30 процентов тоньше, чем его предшественник, а это значит, что он займет меньше места внутри смартфонов.

Понятное дело, что в первую очередь эта память пойдёт на серию Galaxy S21, но компания ясно дала понять, что не ограничится только собственными телефонами.